セッション詳細

[24a-31B-1~9]17.3 層状物質

2024年3月24日(日) 9:00 〜 11:30
31B (3号館)
日比野 浩樹(関学大)

[24a-31B-1]CVD 初期成長における hBN 島のエッジに関する理論研究

〇(M1)今村 僚1、影島 博之1 (1.島根大院自然科学)

[24a-31B-2]Electronically tunable surface adsorption on point defects in hexagonal boron nitride for precursors of tungsten disulfide: a theoretical study

〇Zeyuan Ni1, Takashi Matsumoto1, Kazuyoshi Matsuzaki1, Masaaki Matsukuma1 (1.Tokyo Electron Technology Solutions, Ltd.)

[24a-31B-3]誘導加熱法によるMAX相の高速合成とMXeneの評価

西根 大祐1、木矢 悠史朗1、山本 真人1、〇稲田 貢1 (1.関西大システム理工)

[24a-31B-4]W原料としてn-BuNC-W(CO)5を用いたALD法によるWS2の成膜

〇西 優貴人1、横田 浩1、町田 英明2、石川 真人2、須藤 弘2、若林 整3、横川 凌1,4、澤本 直美1,4、小椋 厚志1,4 (1.明治大理工、2.気相成長株式会社、3.東工大、4.明大MREL)

[24a-31B-5]酸化W薄膜を用いたWS2薄膜の合成の表面形状への影響

〇(B)高木 颯1、関谷 和志2、大橋 史隆1、Jha Himanshu1、久米 徹二1,2 (1.岐阜大工、2.岐阜大院自)

[24a-31B-6]二次元物質の積層による多層膜構造の設計と作製

〇上條 雄登1、浦上 法之1,2、橋本 佳男1,2 (1.信州大工、2.信州大 先鋭材料研)

[24a-31B-7]AFM による PVD-WS2連続膜の膜厚測定

〇(B)伊東 壮真1、寺岡 楓1、今井 慎也1、松永 尚樹1、黒原 啓太1、角嶋 邦之1、若林 整1 (1.東工大工)

[24a-31B-8]アモルファス SiO2上のスパッタ MoS2膜に対する平面電子顕微鏡像解析

〇今井 慎也1、宗田 伊理也1、川那子 高暢1、角嶋 邦之1、辰巳 哲也1、冨谷 茂隆1、若林 整1 (1.東工大)

[24a-31B-9]窒化膜付きシリコン基板を用いた単層hBNの観察

〇服部 吉晃1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、北村 雅季1 (1.神戸大院工、2.物材機構)