セッション詳細
[24a-31B-2]Electronically tunable surface adsorption on point defects in hexagonal boron nitride for precursors of tungsten disulfide: a theoretical study
〇Zeyuan Ni1, Takashi Matsumoto1, Kazuyoshi Matsuzaki1, Masaaki Matsukuma1 (1.Tokyo Electron Technology Solutions, Ltd.)
[24a-31B-4]W原料としてn-BuNC-W(CO)5を用いたALD法によるWS2の成膜
〇西 優貴人1、横田 浩1、町田 英明2、石川 真人2、須藤 弘2、若林 整3、横川 凌1,4、澤本 直美1,4、小椋 厚志1,4 (1.明治大理工、2.気相成長株式会社、3.東工大、4.明大MREL)
[24a-31B-5]酸化W薄膜を用いたWS2薄膜の合成の表面形状への影響
〇(B)高木 颯1、関谷 和志2、大橋 史隆1、Jha Himanshu1、久米 徹二1,2 (1.岐阜大工、2.岐阜大院自)
[24a-31B-7]AFM による PVD-WS2連続膜の膜厚測定
〇(B)伊東 壮真1、寺岡 楓1、今井 慎也1、松永 尚樹1、黒原 啓太1、角嶋 邦之1、若林 整1 (1.東工大工)
[24a-31B-8]アモルファス SiO2上のスパッタ MoS2膜に対する平面電子顕微鏡像解析
〇今井 慎也1、宗田 伊理也1、川那子 高暢1、角嶋 邦之1、辰巳 哲也1、冨谷 茂隆1、若林 整1 (1.東工大)