[24a-71A-1~9] 3.8 テラヘルツ全般（旧3.9）

9:00 〜 9:15

[24a-71A-1] テラヘルツ時間領域分光法によるSi表面近傍の自由キャリア輸送の測定

〇(D)干 敏霞¹、花房 宏明¹、角屋 豊¹ (1.広大院先進)

キーワード：

テラヘルツ時間領域分光法,半導体表面,キャリア輸送

自由キャリアの輸送は半導体デバイスの性能に重要であるが，デバイス表面の薄いキャリア層の測定はほとんど報告されていない．特にテラヘルツ時間領域分光法(THz-TDS)では、厚さが500㎚までである。表面近傍キャリアの測定には，反射型で高精度の測定が可能なエリプソメトリー(TDSE)が適している．本研究では，n-Siを用いて，反射型THz-TDSEによる薄い(200 ㎚)キャリア層の測定を試みた．