[24a-P07-1~5] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[24a-P07-3] InP/Si基板上GaInAsP半導体レーザの利得特性の測定

〇(M1)張 くんよく¹、Gandhi Kallarasan Periyanayagam¹、趙 亮¹、下村 和彦¹ (1.上智大学)

キーワード：

シリコンフォトニクス,利得特性,Si/InP