セッション詳細
[24a-P07-1~5]3.12 半導体光デバイス（旧3.13）
2024年3月24日(日) 9:30 〜 11:30
P07 (9号館)
[24a-P07-1]中赤外量子カスケードにおける注入層構造のレーザ特性への影響
〇安田 浩朗1、粟根 悠介2、寺門 知二2、松村 樹2、松濱 誠2 (1.情報通信研究機構、2.堀場製作所)
[24a-P07-2]直接電流変調を用いた透過型PDH法による半導体レーザの周波数安定化
〇(B)平野 諒介1,2、横田 信英2、八坂 洋2 (1.東北大工、2.東北大通研)
[24a-P07-3]InP/Si基板上GaInAsP半導体レーザの利得特性の測定
〇(M1)張 くんよく1、Gandhi Kallarasan Periyanayagam1、趙 亮1、下村 和彦1 (1.上智大学)
[24a-P07-4]薄片化したCMOSイメージセンサの実装に向けた作製技術の開発
〇為村 成亨1、後藤 正英1、佐藤 弘人1 (1.NHK技研)
[24a-P07-5]Theoretical Analysis of InGaN Vacuum Traveling Carrier Photodiodes for Terahertz Wave Generation
黄 荻谷1、王 露源1、呉 訊1、李 文彪1、髙畑 清人1、加藤 和利2、〇硴塚 孝明1 (1.早大情シス、2.九大シス情)