[24p-12G-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

14:15 〜 14:30

[24p-12G-4] 侵入型陽イオン拡散現象を利用した室温転移Ca₂RuO₄薄膜の作製

〇福地 厚¹、片瀬 貴義²、神谷 利夫² (1.北大院情報、2.東工大元素セ)

キーワード：

エピタキシャル成長,Ruddlesden–Popper酸化物,金属絶縁体転移

Ruddlesden–Popper型酸化物Ca₂RuO₄の固相エピタキシャル成長において、Ca₂RuO₄多結晶粉末を用いた粉末埋め焼き法を用いる事で、従来知られていなかった侵入型の陽イオン拡散が格子内に発生し、薄膜内のRu欠損濃度の顕著な低減が可能となる事を観測した。得られたCa₂RuO₄/LaAlO₃ (001)薄膜の電気特性評価では、電流誘起金属絶縁体転移現象の室温条件での観測が達成された。