セッション詳細

[24p-12G-1~14]6.3 酸化物エレクトロニクス

2024年3月24日(日) 13:30 〜 17:15
12G (1号館)
島 久(産総研)、 小塚 裕介(物材機構)

[24p-12G-1]Proton diffusion governed resistance switching in low-cost planar HxSmNiO3 designed device

Keito Umesaki1, 〇Haobo Li1, Azusa.N Hattori1, Hidekazu Tanaka1 (1.Osaka Univ. SANKEN)

[24p-12G-2]WO ­3二端子素子の雰囲気調整によるプロトン閉じ込め

〇辻 雅貴1、鶴田 和也1、パティ サトウヤ プラカシュ2、矢嶋 赳彬1 (1.九州大学、2.ノースイースタンヒル大学)

[24p-12G-3]Pd/MoO3界面の可逆的プロトン移動を用いた短期記憶素子の研究

〇鶴田 和也1、辻 雅貴1、パティ サトウヤ プラカシュ2、矢嶋 赳彬1 (1.九州大学、2.ノースイースタンヒル大学)

[24p-12G-4]侵入型陽イオン拡散現象を利用した室温転移Ca2RuO4薄膜の作製

〇福地 厚1、片瀬 貴義2、神谷 利夫2 (1.北大院情報、2.東工大元素セ)

[24p-12G-5]大きな熱伝導率変化幅を示すCeO2全固体電気化学熱トランジスタ

〇(PC)ジョン アロン1、卞 志平2、吉村 充生2、フウ ビン3、幾原 雄一3、曲 勇作1、太田 裕道1 (1.北大電子研、2.北大院情報、3.東大総研)

[24p-12G-6]高電子熱伝導率LaNiO3薄膜を活性層とする全固体熱トランジスタの作製

〇(M1)吉村 充生1、李 好博2、卞 志平1、ジョン アロン3、曲 勇作3、田中 秀和2、太田 裕道3 (1.北大院情報、2.阪大産研、3.北大電子研)

[24p-12G-7]マイクロヒータ加熱によるVO2温度誘起相転移の潜伏時間評価

〇浜砂 智1、パティ サトウヤ プラカシュ1,2、矢嶋 赳彬1 (1.九州大学、2.ノース-イースタン=ヒル大学)

[24p-12G-8]VO2/W:VO2 (110)R ヘテロ構造における電子相転移の直接観測

〇井上 晴太郎1、志賀 大亮1,2、早坂 亮太朗1、Tassaphon Tirasutt1、渡邉 颯彦1、長谷川 直人1、小澤 健一2、組頭 広志1,2 (1.東北大多元研、2.KEK 物構研)

[24p-12G-9]VO2/hBNヘテロ界面の原子構造の第一原理予測

〇植本 光治1、ハサン ワキル1、余 博源2、服部 梓2、田中 秀和2、小野 倫也1 (1.神戸大工、2.阪大産研)

[24p-12G-10]Ultrathin Freestanding Membranes of Ferroelectric Hafnia

〇Yufan Shen1, Kousuke Ooe2, Tomoaki Yamada3,4, Shunsuke Kobayashi2, Mitsutaka Haruta1, Yuichi Shimakawa1 (1.Kyoto Univ. ICR, 2.JFCC, 3.Nagoya Univ, 4.Tokyo Tech. MDXES)

[24p-12G-11]アモルファスSrCO3を犠牲層とした水リフトオフプロセスの検討

梶谷 亮介1、林 悠月1、宮澤 佳甫2、福間 剛士2、〇川江 健1 (1.金沢大理工、2.WPI-NanoLSI)

[24p-12G-12]Cu(II)原料を用いたパルスレーザ堆積法によるCuFeO2薄膜の作製

〇木下 裕貴1、相馬 拓人1、吉松 公平1、大友 明1 (1.東工大物質理工)

[24p-12G-13]酸化チタン薄膜トランジスタにおけるアルカリ金属ドーピングによるドレイン電流の増強効果

〇宮澤 諒1、鈴木 晴登1、竹田 響綺1、三浦 正範1、廣瀬 文彦1 (1.山形大院理工)

[24p-12G-14]Hydrothermal Synthesis of Magnetic Spinel ZnFe2O4 and the Application in Photocatalytic Degradation

〇(M1)Junan An Wang1, Jhen-Yang Wu1, Tomoyuki Kurioka1, Chun-Yi Chen1, Masato Sone1, Yung-Jung Hsu1,2, Satoshi Okamoto1,3, Tso-Fu Mark Chang1 (1.Tokyo Tech., 2.NYCU, 3.Sumitomo Chemical)