講演情報
[24p-12G-9]VO2/hBNヘテロ界面の原子構造の第一原理予測
〇植本 光治1、ハサン ワキル1、余 博源2、服部 梓2、田中 秀和2、小野 倫也1 (1.神戸大工、2.阪大産研)
キーワード：
二次元物質,二酸化バナジウム,第一原理
近年、二次元層状物質である六方晶窒化ホウ素(hBN)表面で高品質なVO2薄膜が成膜可能であることが報告され、500 nmオーダーの金属ドメインを持つ試料が実際に得られるようになってきている。本研究では、ルチル型VO2の(110)面とhBNのヘテロ界面のエネルギー的に安定な構造モデルの提案と、第一原理計算に基づく電子状態の予測を試みる。計算によれば、原子のイオン性に反映した強く吸着される（ピン止め状の）サイトの存在や、長周期の界面構造の存在を示唆する結果を得た。