講演情報
[24p-12M-11]単結晶Siウェーハのテクスチャサイズと丸め処理による三次元柔軟性への影響
〇(M2)井手 康貴1、西原 達平2,6、中村 京太郎3、大下 祥雄3、河津 知之4、長井 俊樹4、山田 昇5、Pham Phuong Trang5、小椋 厚志1,6 (1.明治大理工、2.JASRI、3.豊田工大、4.コマツNTC、5.長岡技科大、6.明大MREL)
キーワード：
c-Si太陽電池,柔軟性
Siウェーハ表面の光吸収率を向上させるためのテクスチャ構造が三次元の柔軟性に影響を及ぼし、テクスチャサイズを小さくすることで柔軟性の低下を抑制することを昨年報告した。本報告では三次元柔軟性の評価が可能なBall-on-Ring試験を行い、Siウェーハのテクスチャサイズやそれに対する丸め処理が柔軟性および光反射率に及ぼす影響を評価した。