講演情報
[24p-12N-7]角度蒸着法によるTSV内壁金属化
〇政岡 文平1、田渕 豊1、萬 伸一1 (1.理研RQC)
キーワード：
量子コンピュータ,超伝導回路
我々は超伝導量子ビットの集積化のために、基板貫通電極(TSV) を構成要素にもつ積層基板内の信号伝搬構造を研究している。非充填TSV の内壁超伝導膜化において、ボッシュ工程によるスキャロップ構造は信号伝送特性を著しく劣化させる。我々は角度蒸着法による内壁金属化を実現し、蒸着膜厚により断線確率を制御できることを見出した。本講演では工程の簡略化を念頭に、角度蒸着法によるTSV 内壁金属化について報告する。