講演情報
[24p-1BJ-9]グラフェン超極薄ゲート構造への二次元半導体結晶の成長
杉野 秀明1、佐々木 文憲1、米窪 和輝1、入沢 寿史2、松木 武雄2、大堀 大介3、遠藤 和彦3、渡邊 一斉4、〇吹留 博一1 (1.東北大通研、2.産総研、3.東北大流体研、4.情報通信研究機構)
キーワード：
二次元半導体,グラフェン,極短ゲート
我々は、極短ゲートを有するトランジスタの実現に向けた研究開発を推進している。本発表では、グラフェン超薄膜ゲート構造への数分子層WS2の成長を報告する。断面TEMおよびEDX観察から、狙い通りに、グラフェンを用いた極短ゲートとAl2O3ゲート絶縁膜および数分子層WS2チャネルから成る構造を、転写法を用いること無しに初めて作製することに成功したことが示された。