講演情報
[24p-1BM-4]SiO2へのオクタデシルトリクロロシランSAMの形成におけるアニール処理の効果
〇宮本 泰治1、吉田 幸史1、宇都宮 徹2、國枝 省吾1、上田 悠介1、杉村 博之2 (1.SCREENホールディングス、2.京大院工)
キーワード：
自己集積化単分子膜,保護膜,AFM分析
次世代半導体デバイス製造において自己集積化単分子膜（SAM）を保護膜とした選択成膜/エッチングが提案されており、欠陥のないSAM形成が必要となる。本研究では、AFMを用いた欠陥検出手法の構築と、欠陥のないオクタデシルトリクロロシランSAMのSiO2表面への形成を目的とした。最少2nmの欠陥を検出することが出来、200℃、5minのアニール処理で脱水縮合反応を促進して欠陥をなくすことが出来た。