スマートデバイスが普及するIoT社会では、フレキシブル性に加え、低消費電力と高増幅率を両立した有機トランジスタ回路の開発が求められている。ソース電極／有機半導体界面に意図的にショットキー障壁を形成し、ソース電極近傍の空乏層によって電流を制御するOrganic Source-Gated Transistor (OSGT)は、低電圧動作や高利得の特徴を有する。本研究では、p型有機半導体を用いたOSGTで900を超える固有利得と1段増幅回路で700を超える増幅率を達成したので報告する。