講演情報
[24p-61C-10]275 nm帯AlGaN量子井戸LEDの初期劣化機構(II)
〇秩父 重英1、嶋 紘平1、奥野 浩司2、大矢 昌輝2、齋藤 義樹2、本田 善央3、天野 浩3、石黒 永孝4、竹内 哲也4 (1.東北大多元研、2.豊田合成、3.名大IMaSS、4.名城大理工)
キーワード：
AlGaN,DUV-LED,劣化
AlGaN量子井戸深紫外LEDは低環境負荷省エネルギー小型固体光源として医療、水･空気の浄化（殺菌･ウイルス不活化）等への応用が進められており、高出力･高信頼性260-280 nm帯LEDの実現は急務である。しかしながら、可視LEDでは観られない初期劣化(数～数十時間で光出力が低下する現象)が問題となっていた。我々は、p-AlGaN電子ブロック層に存在し非輻射再結合中心となる空孔クラスタを不活性化していた水素が素子駆動時に離脱しn型側へ電界ドリフトして電流注入効率(CIE)が低下するモデルを提案している。本報告では当該モデルに従い改善を施し長寿命化した275 nm帯AlGaN QW LEDの評価結果と劣化モデルの妥当性を議論する。