セッション詳細

[24p-61C-8~12]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年3月24日(日) 16:45 〜 18:00
61C (6号館)
飯田 一喜(豊田合成)

[24p-61C-8]スパッタアニールAlN上AlGaNにおける局在発光と成長表面の相関評価

〇市川 修平1,2、齊藤 一輝1、赤池 良太3、上杉 謙次郎3,4、中村 孝夫5、三宅 秀人5、小島 一信1 (1.阪大院工、2.阪大電顕センター、3.三重大研究基盤推進機構、4.三重大院地域イノベ、5.三重大院工)

[24p-61C-9]220 nm 発光帯AlGaN 量子井戸構造における偏光特性の温度依存性

稲井 滉介1、谷 海智1、林 拓誠1、佐々木 碧1、〇室谷 英彰2、倉井 聡1、岡田 成仁1、赤池 良太3、三宅 秀人4、山田 陽一1 (1.山口大院・創成科学、2.徳山高専、3.三重大・研基機構、4.三重大院・工)

[24p-61C-10]275 nm帯AlGaN量子井戸LEDの初期劣化機構(II)

〇秩父 重英1、嶋 紘平1、奥野 浩司2、大矢 昌輝2、齋藤 義樹2、本田 善央3、天野 浩3、石黒 永孝4、竹内 哲也4 (1.東北大多元研、2.豊田合成、3.名大IMaSS、4.名城大理工)

[24p-61C-11]光干渉効果と封止構造を応用した深紫外LEDの高効率化

〇奥野 浩司1,2、岩月 梨恵2、大矢 昌輝1、齋藤 義樹1,2、袴田 新太郎1、松嶌 健史1、川岡 あや1、下西 正太1、石黒 永孝2、上山 智2、岩谷 素顕2、竹内 哲也2 (1.豊田合成、2.名城大学理工)

[24p-61C-12]分極ドープ層を用いた 222 nm AlGaN far-UVC LED の高効率化

〇Rangaraju Harshitha1、中村 勇稀1,2、住司 光1,3、Khan Ajmal1、藤川 紗千恵2,1、矢口 裕之2、遠藤 聡3、藤代 博記3、祝迫 恭4、平山 秀樹1 (1.理研、2.埼玉大、3.東京理科大、4.日本タングステン)