講演情報
[24p-61C-7]縦型AlGaN系UV-Bレーザーダイオードの作製
〇岩谷 素顕1、西林 到真1、近藤 凉輔1、山田 凌矢1、井本 圭紀1、岩山 章1、竹内 哲也1、上山 智1、三宅 秀人2 (1.名城大・理工、2.三重大院・工)
キーワード：
AlGaN,半導体レーザー,縦型デバイス
本講演では、縦型AlGaN系UV-B半導体レーザーを試作した結果について報告する。具体的には基板剥離技術の開発、最適な支持基板の選定、デバイスプロセス技術の開発により縦型AlGaN系UV-B半導体レーザーの室温パルス発振を実現した。その詳細を報告する。