[24p-P14-1~3] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[24p-P14-3] GeSiSn/GeSn二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析

〇柴山 茂久¹、石本 修斗¹、坂下 満男¹、黒澤 昌志¹、中塚 理^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：

GeSn,GeSiSn,共鳴トンネルダイオード