[24p-P16-1~41] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-13] 金属Snを硫化アニールし作製したSnSO₄の評価：硫化中の酸素圧力依存

〇(B)守屋 賢人¹、渡邉 大輝¹、川口 拓真¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：

ワイドギャップ半導体