2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(ポスター講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-1~41]21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

2024年3月24日(日) 16:00 〜 18:00
P16 (9号館)
英語発表

[24p-P16-1]Solution-dependent electrostatic spray deposition for ZnO growth processes

〇(DC)Fysol Ibna1,2,3,4, Keisuke Tomono1, Keito Okubo1, Kohta Hori1, Mutsumi Sugiyama1,5 (1.Tokyo Univ. Science, 2.Univ. of Dhaka, 3.BRAC Univ., 4.CITY Univ., 5.RIST, TUS)

[24p-P16-2]化学溶液析出法による ZnO ナノロッド/Cu2O ヘテロ構造形成のための ZnO バッファ層のディップコーティングにおける溶液濃度の効果

〇(M1)芝 昂奎1、式見 啓吾1、寺迫 智昭1 (1.愛媛大理工)
英語発表

[24p-P16-3]Nanolaminated Mist CVD High-κ AlOx/TixAl1-xOy/TiO2 films on P+-Si for TMDCs-MOSFETs

〇(P)Abdul A Kuddus1, Kojun Yokoyama2, Mainul Hossain3, Jaker Hossain4, Rasidul Islam5, keiji Ueno2, Shinichiro Mouri1, Hajime Shirai2 (1.Ritsumeikan Univ., 2.Saitama Univ., 3.Univ. of Dhaka, 4.Univ. of Rajshahi, 5.BSFMST Univ.)

[24p-P16-4]ルチル型GeO2薄膜の作製における圧力と温度の影響

〇西山 史桂1、猪俣 崇1、泉 宏和2 (1.稀産金属、2.兵庫県立工業技術センター)

[24p-P16-5]スピンコートを用いた有機金属分解法によるGa2O3薄膜の作製と構造・光学特性

藤田 柊樹1、松下 愛海1、〇澤畠 淳二1 (1.茨城高専)

[24p-P16-6]水晶基板上に成長したアモルファス酸化ガリウム薄膜とその光導電特性

〇尾友 響1、田中 一成1、宇野 和行1 (1.和歌山大システム工)

[24p-P16-7]ミストCVD法によるα-Ga2O3のリモートヘテロエピタキシー

〇(M1C)神田 将熙1、金子 健太郎2、毛利 真一郎1 (1.立命館大理工、2.立命館大総研)

[24p-P16-8]RFスパッタリング法による単結晶NdGaO3 (001) 基板上へのZnO (1120) 薄膜の作製におけるバッファ層の作製条件の検討

〇(B)乙黒 亮1、川崎 浩司1、佐久間 実緒1、鈴木 順1、今井 裕司1、阿部 貴美2、柏葉 安兵衛2、長田 洋2、柏葉 安宏1 (1.仙台高専、2.岩手大理工)

[24p-P16-9]金属 Sn 薄膜の硫化時圧力に依存する SnS 表面形態の評価

〇(M1)渡邉 大輝1、守屋 賢人1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[24p-P16-10]n型酸化物半導体IGZO/s軌道系p型酸化物半導体ヘテロ界面のバンドダイアグラム

〇清野 隆介1,2、高桑 一朗1、小澤 健一3、西尾 圭史1、簔原 誠人2 (1.東理大先進工、2.産総研、3.高エネ研)

[24p-P16-11]溶液を用いた β-Ga2O3(-201)上への NiO 薄膜作製における合成条件の影響

〇(M1)山脇 聡真1、岡田 有史1 (1.京工繊大工芸)

[24p-P16-12]ZnGa2O4薄膜の構造に作製時のアニール温度が及ぼす影響

〇(B)加瀬 伶也1、中根 茂行2、名嘉 節2、石井 聡1 (1.東京電機大、2.物材機構)

[24p-P16-13]金属Snを硫化アニールし作製したSnSO4の評価：硫化中の酸素圧力依存

〇(B)守屋 賢人1、渡邉 大輝1、川口 拓真1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[24p-P16-14]RFマグネトロンスパッタ法で作製したSnO2:N薄膜のバルク内酸素空孔低減およびバルク内組成の評価

〇(M2)川口 拓真1、大石 竜嗣2、清水 麻希2、土方 泰斗2、相川 慎也1 (1.工学院大工、2.埼玉大工)

[24p-P16-15]c 面サファイア基板上への Zn-Ga-O 薄膜の大気圧気相堆積 ～金属原料充填量及びキャリガス流量依存性～

〇菅原 新1、濱園 龍一1、寺迫 智昭1、矢木 正和2 (1.愛媛大院理工、2.香川高専)

[24p-P16-16]β-Ga2O3(001)エピタキシャル基板中のArrow head型エッチピットの転位線断面観察

〇(M2)伊佐治 颯1、寺田 文軌1、野坂 竜司1、蓮池 紀幸1、一色 俊之1、小林 健二2、藤谷 武史2、姚 永昭3、石川 由加里3 (1.京工繊大、2.日立ハイテク、3.ファインセラミックスセンター)

[24p-P16-17]β-Ga2O3(001)バルク基板におけるCannonball型エッチピットに対応する転位のバーガースベクトル

〇寺田 文軌1、伊佐治 颯1、蓮池 紀幸1、一色 俊之1、小林 健二2、藤谷 武史2、姚 永昭3、石川 由加里3 (1.京都工繊大、2.(株)日立ハイテク、3.(一財)ファインセラミックスセンター)

[24p-P16-18]SnO層間へのNH3分子インターカレーションの試み

〇(B)辛 佳和1、石田 哲也1、小林 翔1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[24p-P16-19]TiドープZnO薄膜のアニーリングによる透明導電性の改善

〇(M1)宇津 直哉1、鷹野 一朗2 (1.工学院大院、2.工学院大工)

[24p-P16-20]Mg添加ターゲットによるスパッタGZO膜の電気特性変化

〇阿部秀悟 秀悟1、土江 晃太郎1、舩木 修平1、山田 容士1 (1.島根大)

[24p-P16-21]PET基板上GZO透明導電膜の微細構造観察と電気的特性評価

〇(M1)松岡 優輝1、増田 哲也1、村中 司1、鍋谷 暢一1、松本 俊1 (1.山梨大工)

[24p-P16-22]フレキシブルPET基板上GZO薄膜の光導電特性の評価

〇(M1)増田 哲也1、松岡 優輝1、村中 司1、鍋谷 暢一1、松本 俊1 (1.山梨大工)

[24p-P16-23]In2O3系透明導電膜へのHドーピングによる柔軟性劣化機構

〇(M1)木菱 完太1、山寺 真理1、小林 翔1、野寺 歩1、鷹野 一朗1、相川 慎也1 (1.工学院大)

[24p-P16-24]ITO/Ag/ITO膜におけるAg層の膜厚に対する透過率と導電率への影響

〇(B)齋藤 優花1、越地 福朗1、安田 洋司1、山田 勝実1、内田 孝幸1 (1.東京工芸大工)

[24p-P16-25]プラズマ合成ZnO 透明導電膜の低抵抗化に向けた二重堆積の有効性

〇藤田 黎輔1、ティホミール キュゾビック1、石田 大輝2、保坂 恭平2、佐藤 直幸1 (1.茨城大理工、2.茨城大工)

[24p-P16-26]Ca-Zn-O2混合プラズマを用いたCaZnO-TCFの合成

〇佐藤 直幸1、ﾃｨﾎﾐｰﾙ ｷｭｿﾞﾋﾞｯｸ1、藤田 黎輔1、石田 大輝1、保坂 恭平1 (1.茨城大院理工)

[24p-P16-27]準粒子自己無撞着GW法によるパワー半導体酸化ガリウムの電子状態と誘電特性

村中 和輝1、〇小幡 正雄1、兵頭 功1、小谷 岳生2、小田 竜樹1 (1.金沢大自然、2.鳥取大工)

[24p-P16-28]PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/GZOヘテロ接合素子の電気特性におけるPPF挙動と増強－抑制特性

〇寺迫 智昭1、矢木 正和2、山本 哲也3 (1.愛媛大院理工、2.香川高専、3.高知工科大総研)

[24p-P16-29]低温 Deep UV 照射処理された B-doped In2O3 TFT

〇(M1)山寺 真理1、木菱 完太1、相川 慎也1 (1.工学院大)

[24p-P16-30]水系前駆体溶液とエキシマ光を用いた酸化インジウム薄膜トランジスタの作製と特性評価

〇(M1)笠原 綾祐1、駒井 伯成1、和田 英男1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、清水 昭宏2、竹添 法隆2、山口 紫苑2、伊藤 寛泰2、前元 利彦1 (1.大阪工大　ナノ材研、2.（株）ウシオ電機)

[24p-P16-31]NiO/ZnO系可視光透過型太陽電池におけるキャリア再結合抑制に向けた空乏層の検討

〇小出 祐菜1、杉山 睦1,2 (1.東理大　創域理工、2.東理大　総研)

[24p-P16-32]SnO2スパッタターゲットを用いたSnO製作：Ar/H2および真空中ポストアニールの比較

〇(M1)小林 翔1、川口 拓真1、木菱 完太1、相川 慎也1 (1.工学院大工)

[24p-P16-33]化学溶液析出法によるZnO ナノロッド層形成とPEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ構造のUV光検出特性へのpH調整効果

〇鈴木 晶雄1、藤川 大治1、寺迫 智昭1、矢木 正和2、山本 哲也3 (1.愛媛大院理工、2.香川高専、3.高知工科大総研)

[24p-P16-34]KrFエキシマレーザーによるITO薄膜のアニール処理

〇(B)佐藤 舞起1、薮田 久人1,2、田中 洋平2、片山 慶太1、岩本 知広4、妹川 要3、三浦 泰祐3 (1.九大工、2.九大ギガフォトンNext GLP共同研究部門、3.ギガフォトン(株)、4.茨城大工)

[24p-P16-35]ミストCVD成長した非晶質Ga2O3薄膜のアニール処理による結晶構造の変化と深紫外線応答特性

〇(M1)宮嵜 愛実1、山崎 伊織1、田中 悠馬1、小山 政俊1、藤井 彰彦1、前元 利彦1 (1.大阪工大 ナノ材研)

[24p-P16-36]プラズマガス雰囲気の調整によるCu/Cu2O型PVセルの特性改善

〇横瀬 太洋1、相澤 憲太2、佐藤 直幸1 (1.茨城大理工、2.茨城大工)

[24p-P16-37]水酸化ニッケルの伝導型の成膜方法による変化

久保田 佑1、〇安部 功二1 (1.名工大)

[24p-P16-38]ZnOナノ粒子へのGa熱拡散における欠陥の影響

〇(M1C)鬼塚 健大1、吉田 俊幸1、藤田 恭久1 (1.島根大学院自然科学)
英語発表

[24p-P16-39]Effect of Thermal Pressing Process on Resistivity of Ga Doped ZnO Nanoparticle Layers

〇(M1)Shrestha Dey Monty1, Toshiyuki Youshida1, Yasuhisa Fujita1 (1.Shimane University)

[24p-P16-40]カーボン基板上酸化イットリウムの結晶成長

〇(B)牛田 真裕1、鳥見 聡2、大塚 知紀1、清水 悠吏1、服部 太政1、金子 健太郎3 (1.立命館大理工、2.東洋炭素株式会社、3.立命館大総研)

[24p-P16-41]ルチル構造r-GeO2薄膜の結晶性向上

〇清水 悠吏1,2、衣斐 豊祐2、荒木 努1、金子 健太郎3,2 (1.立命館大学理工、2.Patentix株式会社、3.立命館大学総合科学技術研究機構)
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