[24p-P16-1~41] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-21] PET基板上GZO透明導電膜の微細構造観察と電気的特性評価

〇(M1)松岡 優輝¹、増田 哲也¹、村中 司¹、鍋谷 暢一¹、松本 俊¹ (1.山梨大工)

キーワード：

透明導電膜,酸化物半導体

Ⅱ-Ⅵ族化合物半導体である酸化亜鉛(ZnO)は、3.37 eVと高いバンドギャップを持ち、可視光領域において透明である。またキャリア密度が高いため抵抗率が低く、電気伝導性に優れている。本研究では低温・低損傷プロセスであるプラズマ支援分子線堆積(PAMBD)法を用いてフレキシブルPET基板上にGa添加ZnO(GZO)透明導電膜の形成および評価を行ってきた。今回の発表ではGZO透明導電膜の曲げ状態における微細構造観察と電気的特性の評価結果について報告する。