[24p-P16-1~41] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-23] In2O3系透明導電膜へのHドーピングによる柔軟性劣化機構

〇(M1)木菱 完太¹、山寺 真理¹、小林 翔¹、野寺 歩¹、鷹野 一朗¹、相川 慎也¹ (1.工学院大)

キーワード：

アモルファス,フレキシブル,膜密度