[24p-P16-1~41] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-27] 準粒子自己無撞着GW法によるパワー半導体酸化ガリウムの電子状態と誘電特性

村中 和輝¹、〇小幡 正雄¹、兵頭 功¹、小谷 岳生²、小田 竜樹¹ (1.金沢大自然、2.鳥取大工)

キーワード：

ワイドギャップ半導体,酸化ガリウム,GW計算

次世代パワー半導体デバイス材料として有望視されているワイドバンドギャップ半導体β-Ga₂O₃のバルクおよびスラブ構造について、準粒子自己無撞着GW(QSGW)法による第一原理電子状態計算を実施した。スラブ構造には、(100)面およびα-Al₂O₃(0001)面の界面に形成される()面を用いた。QSGW計算により得られたバンドギャップは実験事実と良い一致を示した。スラブ構造では、Gaの表面ダングリングボンドの影響と水素原子吸着による終端効果を調査した。