[24p-P16-1~41] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[24p-P16-40] カーボン基板上酸化イットリウムの結晶成長

〇(B)牛田 真裕¹、鳥見 聡²、大塚 知紀¹、清水 悠吏¹、服部 太政¹、金子 健太郎³ (1.立命館大理工、2.東洋炭素株式会社、3.立命館大総研)

キーワード：

酸化イットリウム,カーボン,絶縁膜