講演情報
[24p-P16-6]水晶基板上に成長したアモルファス酸化ガリウム薄膜とその光導電特性
〇尾友 響1、田中 一成1、宇野 和行1 (1.和歌山大システム工)
キーワード：
酸化ガリウム,ミストCVD法,アモルファス半導体
水晶基板上にミストCVD法を用いて450-550℃で酸化ガリウム薄膜を成長し、結晶性、光吸収特性およびMSM型光検出器を用いた光導電特性を評価した。500℃および550℃で成長した場合にはβ型酸化ガリウム関連のピークがみられた。光吸収特性からは成長温度が上昇するにしたがって吸収端のエネルギーが増加し、裾準位が広くなった。これは結晶相とアモルファス相の混在を反映していると考えられる。MSM型光検出器を作製して光導電特性を評価したところ、a面配向酸化ガリウム薄膜を上回る特性を示した。このことはアモルファス酸化ガリウムがUV-C光検出器用材料として有望であることを意味する。