講演情報
[25a-11E-9]ペロブスカイト型強誘電半導体CsGeI3単結晶からのテラヘルツ波発生と強誘電ドメインの可視化
〇(B)藤川 紘晃1、五月女 真人1,2、近藤 高志1,2 (1.東大工、2.東大先端研)
キーワード：
テラヘルツ,強誘電体,ハロゲン化金属ペロブスカイト
ハロゲン化金属ペロブスカイト型半導体CsGeI3 (Eg~1.6 eV)は、室温でBaTiO3に匹敵する強誘電分極をもち、フォトニクスへの応用が期待される。しかし、その非線形光学特性や強誘電ドメイン構造はほとんど研究されていない。本研究では、溶液成長したCsGeI3単結晶において1560nmフェムト秒レーザー照射によるTHz波の発生を見い出したので、発生機構やその効率、さらにTHz振幅のマッピングで可視化された強誘電ドメイン構造の特徴について議論する。