講演情報
[25a-12F-5]MBE成長したCuI薄膜における巨大な励起子シフト電流の観測
〇中村 優男1、安波 貴広2、詹 楊皓3,4、黃 奕軒5、郭 光宇4,5、Hu Yajian1、小川 直毅1、招 宜伶1、于 秀珍1、森本 高裕2、永長 直人1,2、十倉 好紀1,2,6、川﨑 雅司1,2 (1.理研CEMS、2.東大院工、3.中央研究院、4.国立理論科学センター、5.国立台湾大学、6.東京カレッジ)
キーワード：
励起子,光起電力効果,ワイドギャップ半導体
シフト電流はベリー位相の変化で駆動される光電流であり、通常の光電流のように自由キャリアの生成を必要としないため、電荷中性な準粒子である励起子の生成によっても原理的に発生が可能である。中心対称性を持たず強い励起子応答を示すヨウ化銅(CuI)は、この励起子シフト電流の実証に最適な物質である。本研究では、MBE法で作製したCuIの高品質薄膜において、励起子シフト電流をDC電流として直接観測することに初めて成功した。