[25a-12K-1~9] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

9:30 〜 9:45

[25a-12K-1] 光励起キャリア電場遮蔽現象に基づく電場変調テラヘルツ波計測

〇長谷川 尊之¹、小島 磨²、金 大貴³ (1.大阪工大工、2.千葉工大工、3.大阪公大院工)

キーワード：

テラヘルツ,超高速現象,半導体

半導体結晶表面に超短光パルスを照射すると、電子系や格子系の過渡現象が励起されて、テラヘルツ波が放射される。結晶内部の電場が励起に関与する過渡現象においては、放射されるテラヘルツ波は電場強度に依存する。そこで本研究では、電場依存性を示すテラヘルツ波の高感度な観測方法を開発するために、光励起キャリアが電場を遮蔽する現象を利用した電場変調テラヘルツ波計測を検討した。