セッション詳細
[25a-12K-1~9]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
2024年3月25日(月) 9:30 〜 12:00
12K (1号館)
原田 幸弘(神戸大)
[25a-12K-1]光励起キャリア電場遮蔽現象に基づく電場変調テラヘルツ波計測
〇長谷川 尊之1、小島 磨2、金 大貴3 (1.大阪工大工、2.千葉工大工、3.大阪公大院工)
[25a-12K-2]GaSb/AlGaSb多重量子井戸における差周波混合によるテラヘルツ電磁波発生
〇小島 磨1、小笠原 蓮1、赤羽 浩一2 (1.千葉工大工、2.情通機構)
[25a-12K-3]AlGaAs/GaAs超格子中の電流−電圧特性と散乱時間
〇前田 凪1、朱 翔宇1、長井 奈緒美1、ベスコン マーク2、黒山 和幸1、平川 一彦1 (1.東大生研・ナノ量子機構、2.マルセイユ大IN2MP)
[25a-12K-4]Electron temperatures in double well quantum cascade cooling structures (Ⅲ)
〇Xiangyu Zhu1, Gueric Etesse2, Marc Bescond1,2, Gerald Bastard2,3, Naomi Nagai1, Kazuhiko Hirakawa1 (1.IIS/LIMMS, UTokyo, 2.IM2NP-CNRS, AMU, 3.Ecole Normale Superieure)
[25a-12K-5]Anomalous Photoluminescence Properties due to Strong Coupling of InAs/InAsSb In-Plane Ultrahigh-Density Quantum Dots
〇(DC)SIMJUI OON1, Naoya Miyashita1, Koichi Yamaguchi1 (1.UEC Tokyo)
[25a-12K-6]サブモノレイヤー積層法による、量子ディスクの作製
〇奥泉 陽斗1、ロカ ロネル1、神谷 格1 (1.豊田工業大学)
[25a-12K-7]コンタクトレスPECエッチングを用いたGaNナノワイヤ作製におけるマスク材料の検討
〇古内 久大1,2、本久 順一1,2、佐藤 威友1,2 (1.北大情報、2.北大量集センター)
[25a-12K-8]スパッタ法によるAlNナノロッドの作製及び圧電特性の向上
〇宋 俊東1、森本 大智1、飯島 高志1,2、岡村 総一郎1 (1.東理大、2.産総研)
[25a-12K-9]Si/CaF2 四重障壁共鳴トンネル構造を用いた抵抗変化型メモリの電荷保持特性
〇(M2)星野 麻衣子1、宇佐見 遼也1、村上 寛太1、塩路 冬弥1、渡辺 正裕1 (1.東工大工)