圧電・強誘電体ナノロッドアレーは、軸方向に沿って薄膜より大きな電気特性や電気機械特性を持つため、近年ますます注目されている。様々なナノロッドの作製法の中で、物理蒸着法に基づき、堆積圧力を上げて粒子の気相中における多数回散乱が引き起こす「射影効果」を利用しナノロッドを成長させる方法がある。それを用いると、テンプレートを使用せず、薄膜作製と同じ条件で配向性が高く、結晶性が良いロッドアレーの実現が期待できる。しかし、半導体プロセスに適合するスパッタ法に対して、高い圧力での堆積が困難であり、射影効果によりロッド成長の成功例は少ない。そこで、本研究では、圧力制御の代わり、ナノメッシュにより粒子の自由行程を短くする方法を提案し、スパッタ法により圧電体AlNのナノロッドアレーの作製に成功した。