[25a-12M-1~11] 7.2 電子ビーム応用

11:00 〜 11:15

[25a-12M-8] 三極型大電力パルススパッタリングによるHfN Spindt型エミッタの作製

〇(M1C)近藤 駿^1,2、中野 武雄¹、ミヤ モハメッド シュルズ¹、長尾 昌善²、村田 博雅² (1.成蹊大、2.産総研)

キーワード：

スピント型エミッタ,窒化ハフニウム,三極型大電力パルススパッタリング

我々は三極型大電力パルススパッタリング(t-HPPMS)を用いてスピント型エミッタの作製を試みている。従来、エミッタ形成に用いられてきた真空蒸着法をスパッタリングで代替できれば、大面積化と化合物エミッタの形成が可能になる。今回、t-HPPMSの条件とエミッタ形状の関係を調査し、先鋭なHfNエミッタの作製に成功したため、これらの結果について報告する。