[25a-1BJ-1~10] CS.6 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

10:30 〜 10:45

[25a-1BJ-7] 強誘電性HfO₂におけるE_Cの膜厚依存性の特徴 (ii)

〇鳥海 明¹、右田 真司² (1.自由業、2.産総研)

キーワード：

強誘電体,抗電界,HfO2

前回の応物講演会(2023)に続いて、強誘電性HfO₂膜における抗電界E_Cの膜厚依存性の起源について議論する