2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)CS コードシェアセッション：【CS.6】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[25a-1BJ-1~10]CS.6 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

2024年3月25日(月) 9:00 〜 11:30
1BJ (1号館)
岡本 一輝(東工大)
9:00 〜 9:15

[25a-1BJ-1][第55回講演奨励賞受賞記念講演] 強誘電/常誘電界面電荷制御によるHfO2-FeFETの低電圧ディスターブ抑制

〇浜井 貴将1、鈴木 都文1、市原 玲華1、吉村 瑶子1、佐久間 究1、松尾 和展1、藤井 章輔1、齋藤 真澄1 (1.キオクシア)
9:15 〜 9:30英語発表

[25a-1BJ-2]Impact of cycling degradation and its recovery in interfacial SiO2 in HfO2-FeFET on Vth behavior

〇Viktoria Schlykow1, Kunifumi Suzuki1, Yoko Yoshimura1, Takamasa Hamai1, Kiwamu Sakuma1, Kazuhiro Matsuo1, Kota Takahashi1, Masamichi Suzuki1, Masumi Saitoh1, Reika Ichihara1 (1.Institute of Memory Technology R&D, Kioxia Corporation)
9:30 〜 9:45英語発表

[25a-1BJ-3]Memory Window Narrowing Mechanisms and Recovery Behaviors in HZO/Si FeFETs

〇(D)ZUOCHENG CAI1, Kasidit Toprasertpong1, Mitsuru Takenaka1, Shinichi Takagi1 (1.The University of Tokyo)
9:45 〜 10:00

[25a-1BJ-4]HfO2系強誘電体キャパシタの下部電極オゾン酸化による
絶縁破壊寿命の向上

〇(D)糸矢 祐喜1、更屋 拓哉1、平本 俊郎1、小林 正治1,2 (1.東大生産研、2.東大 d. lab)
10:00 〜 10:15

[25a-1BJ-5]Kr/N2プラズマによる強誘電性HfN薄膜のSi(100)基板上への形成

〇(B)関口 侑希1、Kangbai Li1、井出 明徳1、濱田 海夢1、大見 俊一郎1 (1.東工大　工学院)
10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[25a-1BJ-6]機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO2薄膜の残留分極値の増大現象とその起源の考察

〇井上 辰哉1、女屋 崇2、喜多 浩之1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)
10:30 〜 10:45

[25a-1BJ-7]強誘電性HfO2におけるECの膜厚依存性の特徴 (ii)

〇鳥海 明1、右田 真司2 (1.自由業、2.産総研)
10:45 〜 11:00

[25a-1BJ-8]負性容量状態における強誘電体の分極反転速度

〇鳥海 明1、右田 真司2 (1.自由業、2.産総研)
11:00 〜 11:15

[25a-1BJ-9]Hf-Zr-O強誘電体薄膜の誘電応答解析

〇右田 真司1、太田 裕之1、浅沼 周太郎1、森田 行則1 (1.産総研)
11:15 〜 11:30

[25a-1BJ-10]抗電界を超える最初の電界印加によるHf0.5Zr0.5O2薄膜の強誘電特性誘起

〇森田 行則1、女屋 崇2、浅沼 周太郎1、太田 裕之1、右田 真司1 (1.産総研、2.東大)
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