[25a-21C-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:45 〜 11:00

[25a-21C-7] スパッタ法によるAl共添加高濃度n型GaN薄膜の作製と評価

〇千葉 優太¹、内藤 愛子¹、上野 耕平¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：

n型GaN