セッション詳細
[25a-21C-1]グラフェンナノパターンマスクを用いて成長したr面サファイア基板上a面GaN-MCE層の評価
〇横井 稜也1、柳瀬 優太1、長村 皓平1、丸山 隆浩1、成塚 重弥1 (1.名城大理工)
[25a-21C-2]r 面サファイア基板上にリモートエピタキシーした極薄膜a 面 GaN 層を用いた InGaN の逆臨界膜厚エピタキシー過程の観察
〇横井 稜也1、長村 皓平1、柳瀬 優太1、丸山 隆浩1、成塚 重弥1 (1.名城大理工)
[25a-21C-3]低転位密度AlNテンプレート基板上へのAlGaNのRF-MBE成長
〇笠井 遼太郎1、田中 練1、出浦 桃子2、漆山 真3、赤池 良太3、中村 孝夫3,4、三宅 秀人3、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.立命館大 R-GIRO、3.三重大院工、4.三重大未来図)
[25a-21C-5]スパッタ・アニール法作製(1122)面AlNにおける結晶性の膜厚依存性
〇赤池 良太1、小林 大樹2、中村 孝夫3,4、三宅 秀人4 (1.三重大研基機構、2.三重大工、3.三重大未来図、4.三重大院工)
[25a-21C-9]パルススパッタ堆積法によるグラフェン/4H-SiC基板上の窒化物薄膜成長
〇(M1)全 民宰1、上野 耕平1、潘 テン2、竹本 圭佑2、江森 健太2、藤岡 洋1 (1.東大生研、2.日産自動車)
[25a-21C-10]後窒化型スパッタ装置を用いたGaN薄膜の評価
〇依田 文徳1、藤田 篤史1、瀧澤 洋次1、松中 繁樹1、西村 政哉2、鈴木 敦志2、上山 智3 (1.芝浦メカトロニクス、2.E&E Evolution、3.名城大)