2024年第71回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[25a-21C-1~10]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年3月25日(月) 9:00 〜 11:45
21C (2号館)
荒木 努(立命館大)、 小林 篤(東理大)
9:00 〜 9:15

[25a-21C-1]グラフェンナノパターンマスクを用いて成長したr面サファイア基板上a面GaN-MCE層の評価

〇横井 稜也1、柳瀬 優太1、長村 皓平1、丸山 隆浩1、成塚 重弥1 (1.名城大理工)
9:15 〜 9:30

[25a-21C-2]r 面サファイア基板上にリモートエピタキシーした極薄膜a 面 GaN 層を用いた InGaN の逆臨界膜厚エピタキシー過程の観察

〇横井 稜也1、長村 皓平1、柳瀬 優太1、丸山 隆浩1、成塚 重弥1 (1.名城大理工)
9:30 〜 9:45

[25a-21C-3]低転位密度AlNテンプレート基板上へのAlGaNのRF-MBE成長

〇笠井 遼太郎1、田中 練1、出浦 桃子2、漆山 真3、赤池 良太3、中村 孝夫3,4、三宅 秀人3、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.立命館大 R-GIRO、3.三重大院工、4.三重大未来図)
9:45 〜 10:00

[25a-21C-4]ECRプラズマアシストスパッタ法を使用したGaN薄膜のサファイアオフ角依存性

〇鳥居 博典1,2、松井 伸介2 (1.JSWアフティ株式会社、2.千葉工業大学)
10:00 〜 10:15

[25a-21C-5]スパッタ・アニール法作製(1122)面AlNにおける結晶性の膜厚依存性

〇赤池 良太1、小林 大樹2、中村 孝夫3,4、三宅 秀人4 (1.三重大研基機構、2.三重大工、3.三重大未来図、4.三重大院工)
10:30 〜 10:45

[25a-21C-6]スパッタ法によるSi添加GaN薄膜の作製と特性評価

〇板東 廣朗1、三崎 日出彦1、加納 絵梨沙1、上岡 義弘1、召田 雅実1 (1.東ソー株式会社)
10:45 〜 11:00

[25a-21C-7]スパッタ法によるAl共添加高濃度n型GaN薄膜の作製と評価

〇千葉 優太1、内藤 愛子1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
11:00 〜 11:15

[25a-21C-8]スパッタ法による高Al組成AlGaNへの高濃度Geドーピング

〇内藤 愛子1、上野 耕平1、藤岡 洋1 (1.東大生研)
11:15 〜 11:30

[25a-21C-9]パルススパッタ堆積法によるグラフェン/4H-SiC基板上の窒化物薄膜成長

〇(M1)全 民宰1、上野 耕平1、潘 テン2、竹本 圭佑2、江森 健太2、藤岡 洋1 (1.東大生研、2.日産自動車)
11:30 〜 11:45

[25a-21C-10]後窒化型スパッタ装置を用いたGaN薄膜の評価

〇依田 文徳1、藤田 篤史1、瀧澤 洋次1、松中 繁樹1、西村 政哉2、鈴木 敦志2、上山 智3 (1.芝浦メカトロニクス、2.E&E Evolution、3.名城大)
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