[25a-22A-1~5] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

9:00 〜 9:15奨励賞エントリー

[25a-22A-1] Ga-richのAgGaTe₂薄膜の作製による太陽電池の変換効率向上

〇佐々木 達也^1,2、鈴木 隆太^1,2、小林 正和^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)

キーワード：

太陽電池,カルコパイライト,近接昇華法

Ag₂Teの製膜後、近接昇華法によりGaTe粉末を拡散させることでAgGaTe­­₂を製膜し太陽電池を作製している。拡散・堆積時間の増加とGa:Te=80:20のソース原料の使用により、AgGaTe­­₂の組成をGa-richにして太陽電池の変換効率改善を図った。特に拡散・堆積時間を増加させた時、AgGa₅Te₈がAgGaTe₂の回折強度の3割程度出現し、AM1.5照射下の変換効率は1.25%を記録した。