セッション詳細
[25a-22A-1]Ga-richのAgGaTe2薄膜の作製による太陽電池の変換効率向上
〇佐々木 達也1,2、鈴木 隆太1,2、小林 正和1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)
[25a-22A-2]GaAs(100)基板上SnTe薄膜における核形成プロセスの制御
〇川畑 光瑠1、井元 萌々香1、郭 洪甫1、田中 駿平1、小林 正和1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)
[25a-22A-3]Hall効果測定及びRaman分光測定によるGaAs基板上SnTe薄膜の評価
〇井元 萌々香1、川畑 光瑠1、郭 洪甫1、田中 駿平1、小林 正和1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研)
[25a-22A-4]Improved phosphorus incorporation in MBE-grown ZnTe layer using a cracked Zn3P2 dopant source
〇(D)Muhamad Mustofa1, Katsuhiko Saito1, Qixin Guo1, Tooru Tanaka1 (1.Saga Univ.)