[25a-61A-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:15 〜 11:30

[25a-61A-8] CeO₂単結晶中のキャリア再結合を支配する欠陥の分析

〇Zhang Endong¹、Brabec Christoph²、加藤 正史¹ (1.名工大、2.エアランゲン・ニュルンベルク大学)

キーワード：

CeO2,キャリア再結合,欠陥評価

CeO₂は、3.2 eVのバンドギャップを持つ蛍石構造の半導体であり、光触媒としての応用が期待されている。一般的に、水熱合成と簡便な超音波化学合成がCeO₂ナノ粒子を製造するために広く採用されている。最近では、植物、微生物、およびその他の生物などの多様な生物資源でCeO₂ナノ粒子が合成されている。ただし、これらの合成法で作成されたサンプルには欠陥の研究が不足である。光触媒において、光励起キャリアの再結合は太陽光から水素(STH)への変換効率に直接影響を与えるが、これは欠陥によって影響を受ける。したがって、本研究では、アーク炉で合成された単結晶を用い、キャリア再結合プロセスを評価し、欠陥を分析した。