[25a-P01-1~51] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[25a-P01-1] Bi-Te系層状物質/YIG積層膜における逆スピンホール効果の基板依存性

〇諸田 美砂子¹、畑山 祥吾¹、大森 康智^1,2、石田 真彦^1,2、ジェバスワン ウイパコーン³、深田 直樹³、齊藤 雄太^1,4 (1.産総研、2.NEC、3.物財機構、4.東北大)

キーワード：

カルコゲナイド材料,層状物質,逆スピンホール効果

Bi系層状カルコゲナイド材料は、トポロジカル絶縁体としても知られ、その強いスピン軌道相互作用のため、高効率な電流―スピン流変換が期待される。一方でカルコゲナイド材料は金属と比較して比抵抗率が大きく、金属磁性体との積層試料を用いた変換効率の正確な見積りが難しい。そこで、本研究では基板を変えて成膜した強磁性絶縁体のYIG膜に、BiとTe化合物(Bi_xTe_y)の層状構造を作製し、積層試料の逆スピンホール効果を調べた。