講演情報

英語発表

[25a-P01-46]Tunnel magnetoresistance sensor using Ta-doped CoFeSiB soft magnetic layer

〇Takafumi Nakano¹, Kosuke Fujiwara², Masakiyo Tsunoda^1,3, Seiji Kumagai², Mikihiko Oogane^1,4 (1.Tohoku Univ., 2.SSF Corp., 3.Tohoku Univ. Green X-tech, 4.Tohoku Univ. CSIS)

キーワード：

Tunnel magnetoresistance effect、Magnetic tunnel junction、Magnetic sensor

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