[25a-P02-1~5] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[25a-P02-1] InAs量子ドット埋め込み時の歪緩和層成長速度による発光波長変化

〇横田 起季¹、ハドソン 勇気 カール¹、奥野 光基¹、尾崎 信彦¹ (1.和歌山大シス工)

キーワード：

量子ドット,分子線エピタキシー法,歪緩和層