セッション詳細
[25a-P02-1~5]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
2024年3月25日(月) 9:30 〜 11:30
P02 (9号館)
[25a-P02-1]InAs量子ドット埋め込み時の歪緩和層成長速度による発光波長変化
〇横田 起季1、ハドソン 勇気 カール1、奥野 光基1、尾崎 信彦1 (1.和歌山大シス工)
[25a-P02-2]広帯域発光量子ドットと選択領域成長垂直共振器によるモノリシック多波長面発光
〇ハドソン カール 勇気1、横田 起季1、奥野 光基1、尾崎 信彦1 (1.和歌山大シス工)
[25a-P02-3]アンチモン添加によるリン系Ⅲ-Ⅴ希薄窒化物結晶の高品質化に関する理論的解析
〇(B)久野 倭1、山根 啓輔1 (1.豊橋技科大)
[25a-P02-4]Two-wavelength excited photoluminescence study of GaAsN/GaAs heterostructures
〇(D)Abdou Karim Niang1, Naofumi Uchiyama1, Kengo Takamiya1, Shuhei Yagi1, Hiroyuki Yaguchi1 (1.Saitama univ)
[25a-P02-5]CVDダイヤモンド基板上へのGaAs MBE成長(2)
〇木内 翔也1、大島 龍司1、飯塚 完司1 (1.日工大)