[25a-P06-1~3] KS 研究会セッション（ポスター）

[25a-P06-3] 低蛍光強度の透明導電膜を用いたNVセンタの電荷制御

〇(B)大石 竜嗣¹、木菱 完太²、土方 泰斗¹、波多野 睦子³、牧野 俊晴⁴、相川 慎也²、清水 麻希¹ (1.埼玉大、2.工学院大、3.東工大、4.産総研)

キーワード：

NVセンタ

ダイヤモンドNVセンタのセンサ応用のためには負に帯電した状態であるNV^-へ2次元的に電荷状態を制御することが課題となっている。本研究ではアンサンブルのNVセンタを形成したダイヤモンド基板表面にITO膜を成膜することにより２次元的な電荷制御を試みた。膜直下と膜近傍の蛍光スペクトルを測定し比較した結果、膜直下はNV^-の割合が高いことがわかった。膜に電圧を印加するとさらにその割合は高まった。