講演情報
[25a-P06-3]低蛍光強度の透明導電膜を用いたNVセンタの電荷制御
〇(B)大石 竜嗣1、木菱 完太2、土方 泰斗1、波多野 睦子3、牧野 俊晴4、相川 慎也2、清水 麻希1 (1.埼玉大、2.工学院大、3.東工大、4.産総研)
キーワード：
NVセンタ
ダイヤモンドNVセンタのセンサ応用のためには負に帯電した状態であるNV-へ2次元的に電荷状態を制御することが課題となっている。本研究ではアンサンブルのNVセンタを形成したダイヤモンド基板表面にITO膜を成膜することにより２次元的な電荷制御を試みた。膜直下と膜近傍の蛍光スペクトルを測定し比較した結果、膜直下はNV-の割合が高いことがわかった。膜に電圧を印加するとさらにその割合は高まった。