[11a-B21-1~7] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（４） | 2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会

セッション詳細

シンポジウム(口頭講演)シンポジウム：原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（４）

[11a-B21-1~7]原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（４）

2026年9月11日(金) 9:00 〜 11:30

B21 (工学部 B棟)

座長：百瀬健(熊本大)、唐橋一浩(名大)

最先端半導体デバイス製造で重要性が高まる原子層堆積（ALD）・原子層エッチング（ALE）をはじめとする原子層プロセス（ALP）を、解析と応用の両面から俯瞰するシンポジウムです。午前は英語セッションとして，次世代半導体向けALDや新規材料をテーマとした海外招待講演3件に加え，KMC法やNNPを活用した反応解析などに関する一般講演3件の，計6件を予定しています。

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9:00 〜 9:05

[11a-B21-1]オープニング

〇霜垣幸浩^1,2 (1.東大工、2.北大工)

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9:05 〜 9:35英語発表

[11a-B21-2]Atomic Layer Deposition for next generation semiconductor devices

〇Hyungjun Kim¹ (1.School of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University)

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9:35 〜 10:05英語発表

[11a-B21-3]Atomic Layer Engineering of Epitaxial Metal, Ferroelectric, and Antiferroelectric Materials for Advanced Devices

〇Miin-Jang Chen¹, Yu-Sen Jiang¹ (1.National Taiwan University)

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10:05 〜 10:20英語発表

[11a-B21-4]Kinetic Monte Carlo Study of Defect-Mediated Morphological Evolution during TMA/H₂O Al₂O₃ Atomic Layer Deposition

〇(M2)Yichen ZOU¹, Yuxuan Wu¹, Noboru Sato¹, Atsuhiro Tsukune¹, Yukihiro Shimogaki¹ (1.The Univ. of Tokyo)

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10:30 〜 10:45英語発表

[11a-B21-5]Surface reaction analysis of thermal ALE of transition metal oxides with acetylacetonate ligands

〇(P)Lucas Fabian Spiske¹, Satoshi Hamaguchi¹ (1.Osaka University)

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10:45 〜 11:00英語発表

[11a-B21-6]Adsorption state study of Cu diketonates on Cu surface with Neural Network Potential

〇Yuxuan Wu¹, Yichen Zou¹, Noboru Sato¹, Atsuhiro Tsukune¹, Yukihiro Shimogaki¹ (1.Univ. Tokyo)

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11:00 〜 11:30英語発表

[11a-B21-7]Transition metal carbide thin films prepared by atomic layer deposition: A new enabler for advanced metallization process

〇Soo-Hyun Kim¹ (1.Ulsan National Institute of Science and Technology)

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