セッション詳細

[11a-S1-1~9]13.5 デバイス/配線/集積化技術

2026年9月11日(金) 9:00 〜 11:15
S1 (総合教育棟 S講義棟)

[11a-S1-1]Study on Self-Heating and Reliability Impact in Self-Aligned Backside-Contact Complementary FET Device Structure

〇JINHYUN CHUN1, Yuxuan Wang1, Yaoping Xiao1, Kobayashi Masaharu1 (1.IIS, The Univ. of Tokyo)

[11a-S1-2]Interconnect-Aware Design-Technology Co-Optimization of CFET-Based 6T SRAM for Advanced Logic Nodes

〇(D)Yaoping Xiao1, Yuxuan Wang1, Jinhyun Chun1, Masaharu Kobayashi1 (1.IIS, The Univ. of Tokyo)

[11a-S1-3]Standard-Cell-Library Level PPA Evaluation of Monolithic Complementary FET with BM0-signal and M0-power Routing

〇(D)Yuxuan Wang1, Yaoping Xiao1, Jinhyun Chun1, Masaharu Kobayashi1 (1.The University of Tokyo)

[11a-S1-4]新型3Tゲインセルの提案とその擬似SRAMへの応用

〇塩津 勇作1、吉田 誠1、市川 允英1、菅原 聡1 (1.東京科学大・未来研)

[11a-S1-5]エネルギー最小点動作・非対称型SRAMセルとその16並列READアクセスマクロ応用

〇藤下 涼1、塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東京科学大・未来研)

[11a-S1-6]0.275V-EMP動作SRAMの設計とその8並列READアクセスマクロ応用

〇森 智徳1、塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東京科学大・未来研)

[11a-S1-7]6TベースIRPセルを用いたEMP近傍動作・32並列演算PIM型BNNアクセラレータマクロ

〇行田 秀斗1、矢口 忠勝1、塩津 勇作1、菅原 聡1 (1.東京科学大・未来研)

[11a-S1-8]Flexible Complementary Analog and Digital Circuits Using Organic–Inorganic Hybrid Thin-Film Semiconductors

〇(D)Haonan Fan4, Tsurumi Junto1, Makita Tatsuyuki1, Tanaka Yuki1, Kameyama Ryohei4, Yamashita Yu3,4, Watanabe Shun4, Takeya Jun1,2,3,4 (1.PI CRYSTAL., 2.JST CREST, 3.NIMS, 4.Univ. of Tokyo)

[11a-S1-9]論理回路の三次元構造に対応するCubic-based IC アーキテクチャ設計

〇(B)内田 銀河1、王 臻豪1、王 培龍1、今井 慎也1、上野 聡2、堀 敦2、若林 整2 (1.科学大工、2.科学大総合研究院)