[15a-M_123-1~13] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

12:00 〜 12:15奨励賞エントリー

[15a-M_123-12] 擬一次元ハロゲン架橋金属錯体におけるシナプス様学習則とニューロン様リーク積分発火

〇(M1)守屋 徹朗¹、高石 慎也²、竹延 大志¹、大島 勇吾³ (1.名大工、2.東北大理、3.理研)

キーワード：

メモリスタ、有機単結晶

Neuromorphic computing の実現に向けて、physical reservoir computing に代表されるアーキテクチャ指向の研究が発展している。一方で省電力化を突き詰める観点からは、演算と記憶の近接化（in-memory/near-memory）を担うデバイス指向素子も重要である。本研究では、これまでにmemristor動作が確認されている擬一次元ハロゲン架橋金属錯体[Ni(chxn)₂Br]Br₂のシナプス様学習則、ニューロン様リーク積分発火を検証した。