[15a-M_123-1~13] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

10:45 〜 11:00

[15a-M_123-7] デジタルメモリおよびComputation-in-Memoryのメモリ抵抗値デザイン

〇松井 千尋¹、山田 歩¹、三澤 奈央子¹、竹内 健¹ (1.東大工)

キーワード：

Computation-in-Memory、デジタルメモリ、ReRAM

超大容量デジタルメモリおよびアナログComputation-in-Memory (CiM)向けのReRAM抵抗値デザインを議論する。デジタルメモリおよびアナログCiMのモデル回路において、メモリセル間に存在するビット線抵抗を考慮したビット線の読み出し電流を定式化し、容量シナリオ別の抵抗値デザインを示す。