[15a-M_123-1~13] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[15a-M_123-8] TaO_X ReRAMベースのアナログComputation-in-Memoryにおける10年間のデータ保持を可能にする推論精度補償手法

〇(M1)平田 佑亮¹、山内 堅心¹、三澤 奈央子¹、松井 千尋¹、竹内 健¹ (1.東大工)

キーワード：

ReRAM、データリテンション

本研究では，アナログComputation-in-Memory（CiM）のメモリセルに用いるReRAMのデータリテンション劣化による推論精度の低下を補償し，85℃の条件下で10年にわたる長期間で高い推論精度を達成する手法を提案する．