講演情報
[15a-PA4-17]Si半導体検出器における構造的放射線影響の比較
〇小林 奈和1、渡部 勝喜1、斉藤 直輝2、奥野 泰希3、井戸川 槙之介1 (1.釧路高専、2.北海道大学、3.理研)
キーワード：
半導体検出器、pn接合、SOG法
pn 接合面の構造は，半導体検出器の放射線応答に大きな影響を与える要因の一つである．本研究では，pn 接合面の形状が異なる Si 半導体検出器を作製し，溝間隔を変化させることで pn 接合の表面積を増加させた検出器について，放射線入射による影響の比較を行った．検出器は Spin-on-Glass（SOG）法および異方性エッチングにより作製し，逆バイアス印加時の出力信号を評価した．その結果，溝間隔および逆印加電圧の違いにより空乏層形状が変化し，電荷生成量に差が生じることを確認した．本研究により，安全かつ低コストで半導体デバイスが構造的に受ける放射線影響の比較が可能であることを示した．