講演情報
[15a-PA4-3]SiC JFET利得段のガンマ線照射下における動作特性評価
廣瀬 竜也1,2、〇渡邉 大輔1,2、杠 幹大1,2、山本 真幸1,2、梅沢 仁1、佐藤 隆英2、武山 昭憲3、牧野 高紘3、大島 武3、黒木 伸一郎4、田中 保宣1 (1.産総研、2.山梨大、3.量研、4.広島大)
キーワード：
4H-SiC、ガンマ線、演算増幅器
本研究では、動作中のSiC JFETを用いた利得段へγ線照射し、照射後の特性を評価した。その結果、積算線量1MGyにおいて電圧利得および位相の周波数特性に変化は見られなかった。また、今後の照射試験に向けたSiC JFET演算増幅器を作製し、特性を評価した。測定結果から演算増幅器として十分な電圧利得が得られていると確認できた。