講演情報
[15a-PA4-4]耐放射線SiCフォトダイオードの試作と評価
杠 幹大1,2、〇松永 拓也1,2、鈴木 翔3、梅沢 仁1、山本 真幸1,2、黒木 伸一郎3、田中 保宣1 (1.産総研、2.山梨大学、3.広島大学)
キーワード：
4H-SiC、放射線、フォトダイオード
本研究では、耐放射線4H-SiC JFETと組み合わせるアクティブピクセルセンサの開発を目指し、n型エピ層上にUVフォトダイオードを試作した。その後、紫外光照射下でのIV特性を測定し、外部量子効率の波長依存性を評価した。また、TCADにより、外部量子効率減少に寄与するキャリア再結合位置を解析した。