講演情報
[15a-PA5-13]Ge薄膜の金属誘起結晶化における交流表面光電圧変化
〇豊田 崇史1、池田 正則1 (1.日大工)
キーワード：
Ge薄膜、交流表面光電圧
Ge薄膜の金属誘起結晶化過程における交流表面光電圧(Alternating Current Surface Photo Voltage : AC SPV)の変化を調べた。真空蒸着及びスパッタにより作製したGe/Al/SiO2構造についてN2アニールを行い、温度375℃以上でGe/Al/SiO2構造変化とGe薄膜の結晶化を確認した。結晶化の進行に伴いAC SPVは増大し、SPV波形は温度500℃で反転した。これらの結果から、Ge薄膜の結晶化とAC SPVの関係性が示唆された。